《半导体》Q1营运谷底 华邦电冲8个月高价

华邦电受产业短期逆风，三大法人周一联手卖超，外资更已连2日卖超9585张，不过周二股价震荡，盘中一度翻红，冲上24.1元之去年6月22日以来的8个月新高价，2023年累积涨幅达22.95%。

利基型DRAM和NOR Flash库存修正，价量皆下滑，华邦电去年第四季合并营收为142.24亿元，季减13.19%，华邦电DRAM在去年下半年转差，去年第四季DRAM营收占全公司营收比重从去年第三季的40%减至35%，其中25nm占DRAM营收56%。去年第四季合并毛利率下滑至37.46%，减少8.09个百分点，主要来自记忆体减产30%，致记忆体的毛利率从去年第三季的48%大幅下滑至33%。去年第四季合并税后EPS为0.14元。华邦电2022年税后EPS达3.25元。

虽然景气不佳，但华邦电计划往更高阶制程转进，且每一个产品线要在一线客户的渗透率拉高，有助产品单价以及获利表现。DRAM产品部份，25S nm技术为2023年的重点，Flash则是转为46nm，持续优化产品组合与客户组成，提升毛利率。

产业长期来看，穿载装置、网通WiFi6/7、物联网、车用、远端应用、工业加速数位转型及美国启动基建，都将搭载更多容量的利基型DRAM及NOR/NAND Flash。惟在各记忆体厂减产下，报价都尚未止稳，短期亏损压力大。

华邦电2022年资本支出408亿元，年增339.09%，2022年高雄厂机台拉入验证后，使资本支出增加较明显。华邦电高雄新厂去年1月开始装机，导入25S nm制程，去年第四季小量投片，设计月产能10.5K片。2023年资本支出预估为121亿元，年减70.34%，大部分用于高雄厂建厂及提升制程品质、新制程研发等支出。

华邦电高雄路竹新厂去年第四季开始投片，设备产能建置每月10.5K片，采用25S nm制程生产DRAM，部份产能则用于进行20nm DRAM制程研发，25S nm目前成本较高，因为设备和厂房都是新的，稼动率不佳，毛利率恐将转负。