Blackwell年底出货 SK海力士嗨森

辉达（NVIDIA）Blackwell预计年底正式出货，法人看好带旺SK海力士第三季营收维持双位数季增表现。图／美联社

辉达（NVIDIA）Blackwell预计在今年底至明年1月正式出货给客户，将持续带动高频宽记忆体（HBM）出货成长，韩国大厂SK海力士市场领先地位依旧，法人看好SK海力士第三季营收将维持双位数季增表现。

SK海力士在HBM市场保持领先地位，该公司采用MR-MUF堆叠技术，提升封装良率，8层HBM3E已于今年3月开始出货给NVIDIA，且公司近日指出 12层HBM3E预计9月底量产，时间点早于原先规划。

此外，公司预计于2025年下半年推出12层HBM4，并于2026年推出的16层HBM4，届时公司将决定采用原本的MR-MUF技术或改采Hybrid Bonding技术，以降低厚度。

法人分析，先前导致SK海力士股价下跌的利空因素为三星HBM3E通过认证，以及辉达Blackwell出货递延。不过，经过求证，三星 HBM3E尚未通过辉达认证，SK海力士市场份额暂时不会被瓜分。

SK海力士第二季营收季增32％，年增125％，至16.42兆韩元，优于市场预期，税后净利季增115％，至4.12兆韩元，亦优于市场预期。主要高毛利DDR5／HBM销售动能持续强劲，且DRAM及NAND Flash价格持续回升。

展望第三季，公司方面预估，DRAM位元出货量季增低个位数，其中，HBM出货量将持续增加，表现较佳；预估NAND位元出货量季减中个位数，主要受到消费市场需求疲软影响，不过，企业级SSD仍维持较佳的季增动能。

法人认为，辉达H200采用的HBM记忆体容量达141GB，较H100的80GB提升76％，B200更提升至192GB，较H200提升36％。预估2025年Blackwell Ultra将采用12层HBM3E，容量可能达288GB。

SK海力士为HBM3E的主要供应商， 且公司将于9月量产12层HBM3E，维持领先优势，将持续受惠Blackwell新平台放量。