SK海力士 開發新DRAM晶片

全球第二大记忆晶片制造商SK海力士（SK hynix）29日表示，已开发出业界首见的第六代10奈米的动态随机存取记忆体（DRAM）晶片，功耗低于原有款式，继续抢攻人工智慧（AI）晶片商机。

辉达（NVIDIA）供应商SK海力士表示，已运用其第六代10奈米制程1c节点技术，开发出业界首款名为16Gb DDR5的晶片，比上一代功率效率提升逾9%，计划今年底前完成筹备1c DDR5量产，明年大规模出货。

SK海力士表示，在当前的AI热潮下，1c DDR5预料将用于高效资料中心，运作速度提高11%，能帮助资料中心降低多达30%的电力成本。SK海力士在2021年7月运用极紫外光（EUV）设备，以1a技术开始量产DRAM，2023年第2季以1b技术展开量产。展望未来，SK海力士计划把1c技术应用于第七代高频宽记忆体（HBM）晶片，如HBM4E。

AI记忆体晶片竞赛日益升温。三星电子去年5月表示，以用12奈米制程节点开始量产16 Gb DDR5 DRAM晶片，宣布今年底前量产第六代的10奈米制程晶片。