SK海力士砸錢大擴產 要建新記憶體晶片廠

南韩SK海力士（SK Hynix）计划斥资146亿美元在南韩兴建新记忆晶片厂，抢先在景气复苏前大举扩张，以满足快速成长的人工智慧（AI）晶片需求。

SK海力士24日发布声明表示，这波投资扩张总规模超过20兆韩元（146亿美元），包括初期预计投入5.3兆韩元新建动态随机存取记忆体（DRAM）晶片工厂，预定4月底开始动工，预计2025年11月完工，有助提高该公司整体DRAM产能。

新厂坐落于SK海力士清州厂附近，聚焦于生产次世代DRAM，包括生成式AI工具所需的高频宽记忆体（HBM）。

此举显示全球AI军备竞赛如火如荼上演，半导体业者竞相供应支持生成式AI服务所需的硬体与零组件。HBM晶片用来搭配辉达、三星设计的AI加速器，目前SK海力士是这种先进晶片的领导厂商，但三星矢言砸下巨资在这种高阶记忆体市场急起直追。