《国际产业》华府扩大对陆晶片技术限制 传三星、SK海力士逃过一劫

美国商务部预计将在本周就出口中国的技术发布新限制，可能驳回美国供应商向长江存储和长鑫存储等中国企业出货先进记忆体晶片生产设备的申请。

但消息人士表示，美国设备厂要出货给在中国生产先进记忆体晶片的外国企业所提出的许可申请，将以个案进行审查，这表示美国政府可能同意这些非中国晶片厂获得先进设备。

知情人士表示：「我们的目标不在于打击非中国企业」。

白宫和美国商务部拒绝对此消息发表评论。

中国驻华盛顿大使馆周四痛批这些传闻中的规范如同美国展现其「科技霸权」，利用其技术实力阻碍和压制新兴市场和开发中国家的发展。

此举料将缓解韩国记忆体晶片制造商最大的担忧，即美国在试图阻止中国崛起、削弱长江存储和保护脆弱的美国记忆体晶片制造商之际，韩国厂在中国的制造业务也可能受到波及。

虽然消息指出美国设备厂向外国企业在中国的晶片厂出货先进设备的申请可望采逐案审查，但这两家韩国记忆体大厂仍然担心该逐案审查标准存在相当大的不确定性，不代表一定能获得放行。

出口管制专家表示，如果美国商务部真的发布这些规定，就成为美国的出口管制第一次锁定在中国生产之非军事用途记忆体晶片，反映出美国对国家安全的扩大解释。

美国主要晶片制造设备供应商科林研发（LAM Research Corp）、应材（Applied Materials Inc）和科磊（KLA Corp）可能受到新规定影响。这些公司不愿对此发表评论。

南韩三星电子在中国陕西省设有一座生产NAND快闪记意体晶片的工厂。SK海力士则收购了英特尔在大连的NAND晶片制造业务，同时也有一座在中国的DRAM晶片厂。

咨询公司Yole Intelligence表示，中国厂占SK海力士约25%及三星约38%的NAND晶片产能，此外，SK海力士约50%的DRAM晶片在中国生产。

●传闻中的新规定如下：

消息人士透露，这些新限制锁定的是中国的DRAM和NAND晶片制造商。如果美国供应商出货的对象是生产18奈米节点以上DRAM晶片、128层以下NAND快闪记忆体晶片或14奈米以上逻辑晶片的中国半导体公司，就不需要向美国商务部申请出货许可。

如果出货对象是生产18奈米以下DRAM晶片、128层以上NAND晶片或 14奈米以下逻辑晶片的中国企业，则必须申请出货许可，且将采取「推定禁止」（presumption of denial）的严格审查标准。

如果出货对象是在中国经营并生产相同级别晶片的非中国在地企业，美国供应商也必须提出许可申请，但申请将采取个案审查。