SK海力士砸巨资 冲刺HBM晶片

SK海力士抢攻AI商机，将投入巨资设厂，冲高HBM晶片产能。图／美联社

SK海力士为了冲高HBM（高频宽记忆体）晶片产能抢攻AI商机，宣布投资20兆韩元（约145亿美元）在韩国清州市兴建一座DRAM封装厂，扭转原定兴建NAND Flash晶片厂的计划。

SK海力士董事会在24日通过投资计划，将毗邻清州市园区M15厂盖M15X厂，专门生产HBM晶片。M15X厂预计4月底动工，明年11月前完工进入初步量产阶段。

SK海力士表示，M15X厂营造成本就会投入5.3兆韩元，完工后将陆续投资至少15兆韩元采购设备，整体投资额高达20兆韩元。

SK海力士在2022年曾宣布一项为期五年的投资计划，当时这项计划预定投资15兆韩元在M15厂隔壁兴建M15X厂，专门生产NAND Flash晶片。

不料M15X厂房预定地破土动工后不久，全球经济不景气冲击消费需求，导致NAND Flash晶片价格暴跌，厂房兴建案也因此搁置。由于NAND Flash晶片主要应用在消费电子装置，因此过去一年PC及其他电脑装置需求不振造成NAND Flash价格偏低，反观DRAM晶片需求因AI商机而急速扩大，其中又以SK海力士供应辉达的HBM晶片最为抢手。

SK海力士预期未来几年内，HBM晶片需求将以每年60％的成长率持续扩大，因此当务之急是扩张产能。

韩国政府先前为了提升国内半导体制造实力，已邀集SK海力士及其他业者进驻龙仁市半导体园区。SK海力士承诺2046年前将在龙仁市园区投资120兆韩元，一共将兴建四座厂房，其中首座厂房最快2027年开始营运。如今看来，SK海力士已等不及龙仁市园区完工，将抢先在清州市M15X厂生产HBM晶片。