SK海力士、台积 携手开发新HBM晶片

全球第二大记忆体晶片制造商韩国SK海力士18日宣布与台积电签署合作备忘录，联手开发下一代高频宽记忆体（HBM），计划于2026年投入量产。（中新社）

全球第二大记忆体晶片制造商韩国SK海力士18日宣布与台积电签署合作备忘录，联手开发下一代高频宽记忆体（HBM），计划于2026年投入量产。韩国媒体分析，本次合作旨在应对人工智慧（AI）需求爆炸性增长所带来的竞争压力，并重新塑造三星电子、SK海力士和台积电三方间的竞争格局。

声明指出，SK海力士与台积电双方已签署技术合作备忘录，以共同开发HBM4为核心，并加强在先进封装技术方面的合作。SK海力士表示，与台积电合作后，将以构建IC设计厂、晶圆代工厂、记忆体制造厂三方技术合作的方式，「力求突破记忆体性能的极限」。

SK海力士是全球目前唯一一家先进HBM晶片开发商。随着AI发展逐渐扩大，对HBM晶片的需求也随之爆发。《韩国经济新闻》指出，三星电子在高频宽记忆体和代工生产方面，分别为SK海力士和台积电的主要对手，本次跨国合作目标在于合力对抗来自三星的竞争。

合作中，双方计划首先提高HBM封装底部的基础晶片性能。HBM将基础晶片（即单独的DRAM晶片）堆叠在顶部，并利用矽穿孔（TSV）技术将其垂直连接。SK海力士于第五代HBM（HBM3E）时使用自家制程，但第六代HBM4计划使用与台积电合作的前端制程，以提高性能和能源效率、满足客户需求。

此外，双方还将加强整合SK海力士的HBM和台积电的CoWoS先进封装技术，以满足HBM相关客户的需求。CoWoS是台积电领先全球的技术，是一种将逻辑晶片和高频宽记忆体连接在一起的封装方法，目前主要用于应对大量运算需求。

SK海力士AI基础设施社长金柱善表示：「我们将透过与台积电合作开发最高性能的HBM4，并积极拓展与全球客户的开放性合作。今后将提升客制化记忆体平台的竞争力，巩固我们在人工智慧记忆体业界的全方位供应商地位」。

台积电资深副总经理暨副共同营运长张晓强表示：「多年来，台积电与SK海力士已经建立稳固的合作伙伴关系。展望新一代HBM4，我们相信两家公司也通过密切合作提供最佳的整合产品，成为人工智慧领域创新的关键动力。」