SK海力士、台積電、輝達組鐵三角 攜手開發下一代HBM

南韩媒体报导，记忆体大厂SK海力士将深化与台积电及辉达（NVIDIA）之间的合作。(美联社)

南韩媒体报导，记忆体大厂SK海力士将深化与台积电（2330）及辉达（NVIDIA）之间的合作，并在9月的台湾国际半导体展（Semicon Taiwan）上，宣布这三家公司更紧密的合作计划。业界认为，相关合作将让台积电更能在AI潮流下，抢占更多商机。

SK海力士与台积电合作多年，2022年台积电在北美技术论坛宣布成立OIP 3DFabric联盟，将记忆体与载板等伙伴纳入，当时SK海力士资深副总裁暨PKG开发主管Kangwook Lee即透露，该公司一直和台积电在前几个世代及目前的高频宽记忆体（HBM）技术紧密合作，支援CoWoS制程的相容性与HBM的互连性。

SK海力士加入3DFabric联盟之后，与台积电将透过更深入的合作，为未来的HBM世代提供解决方案，实现系统级产品的创新。

每日经济新闻英文版网站Pulse News和BusinessKorea引述业界消息人士报导，SK海力士社长金柱善将于9月在台北举行的国际半导体展上发表专题演讲，这是SK海力士首度参与专题演讲。

在专题演讲过后，金柱善将和台积电高阶主管对谈，讨论下一代HBM的合作计划，辉达执行长黄仁勋也可能加入与谈，进一步巩固SK海力士、台积电及辉达之间的三方联盟。

SK海力士将采用台积电的逻辑制程，生产HBM的基础介面晶片（base die）。报导说，SK海力士和台积电已同意合作开发并生产HBM4，将于2026年量产。

HBM将核心晶片堆叠在基础介面晶片之上，彼此垂直相接。SK海力士生产HBM3E采用自己制程的基础介面晶片，但从HBM4将采用台积电的先进逻辑制程。报导说，SK海力士将在论坛上强调成果，包括HBM4的功耗比原本目标还低20%以上 。

三强的合作是在今年上半年敲定，SK集团会长崔泰源4月会见黄仁勋，讨论半导体合作事宜。崔泰源上个月亲自拜访台积电新任董事长魏哲家，进一步推动后续讨论。