SK海力士领冲 HBM3e送辉达验证

HBM3e预计2024年上半年量产，将进一步巩固SK海力士在AI记忆体市场的领导地位。

SK海力士指出，该公司 HBM3e不仅速度更快，容量更大、散热更好、相容性也更强。韩媒推测，SK海力士的HBM3e，将有望搭载在NVIDIA影像处理器（GPU）GH200上。SK海力士强调，HBM3e每秒可以处理1.15TB以上的资料，相当于一秒钟内，可以处理230多部、每部5GB大小的全高解析度电影。

SK海力士技术团队并采用了Advanced MR-MUF2最新技术，使HBM3e的散热性能与上一代相比，提高10％。

HBM3e还具备了向后兼容性（Backward compatibility），因此，客户在基于HBM3组成的系统中，无需修改其设计或结构，也可以直接采用新产品。

高频宽记忆体（HBM）以垂直方式连结DRAM，相较既有的DRAM，能大幅提高资料处理速度及性能，最初是为影像工作而生，但随着AI市场扩张，HBM可一次性大量处理资料的特性，为HBM带来新的商机。

SK海力士自2013年领先业界研发HBM后，即长期主导全球HBM市场，目前在全球HBM市场中市占率约达50％。SK海力士已依序量产HBM、HBM2、HBM2e、HBM3，新一代产品HBM3e，是HBM3的扩充版本（Extended）。

NVIDIA超大规模与高效能运算副总裁Ian Buck也表示，期待SK海力士公司在HBM3e领域上持续合作。