美光宣布量產HBM3E高頻寬記憶體 SK海力士股價應聲重挫

记忆体大厂美光（Ｍicron）26日宣布已展开量产高频宽记忆体「HBM3E」。路透

记忆体大厂美光（Ｍicron）26日宣布已展开量产高频宽记忆体「HBM3E」，这种记忆体将被用于辉达（Nvidia）将在第2季出货的H200 Tensor Core GPU，后者可进行AI与高效运算应用。消息激励美光股价同日大涨4%，南韩记忆体大厂SK海力士今天盘初重挫近3%。

美光表示，已经开始量产24 GB 8-Hi HBM3E，资料传输速度为每秒9.2 GT、高峰记忆体频宽超过每秒1.2 TB。与HBM3相比，HBM3E的资料传输速度和高峰记忆体频宽提高44%，这对Nvidia H200等需要大量频宽的处理器来说尤其重要。

美光股价26日收盘大涨4.02%至每股89.46美元，盘中一度大涨超过7%。

花旗分析师Christopher Danely表示，这项发展对美光有利，预期美光在2024年将产生7亿美元的高频宽记忆体营收。

相较于美光的HBM3E已进入量产，原先在HBM领域跑在前头的韩厂SK海力士如今面临劲敌。根据MoneyToday上周报导，SK海力士1月中旬结束HBM3E开发，顺利完成辉达历时半年性能评估，3月将开始量产HBM3E。

SK海力士今天盘中重挫逾2%，报每股158,100韩元。