海力士HBM4记忆体 2026量产

在AI浪潮推动与中国需求带动下，韩国产业通商资源部日前公布，2024年韩国半导体产品出口出现回温，1月份出口额约94亿美元，年增56.2％，创73个月以来最大增幅。韩媒并披露，SK海力士将在美国印第安那州建立先进封装工厂，以满足辉达（NVIDIA）等美企的需求。

据韩国商报报导，Chun-hwan Kim称，目前SK海力士的HBM3E记忆体晶片已经量产，并拟在2026年开始大规模生产HBM4。他表示，随着AI运算时代的到来，生成式AI正迅速发展，市场预计将以每年35％的速度增长。而生成式AI市场的快速增长需要大量更高性能的AI晶片来支援，这也将进一步推动更高频宽的记忆体晶片的需求。

早在2023年8月21日，SK海力士就宣布其开发出的HBM3e DRAM已经提供给辉达和其他客户评估，并计划在2024年上半年量产，以巩固其在AI记忆体市场的领导地位。

报导称，随着AI和高性能计算（HPC）行业的需求持续增长，因此具有2048位元界面的下一代HBM4记忆体，成为各家记忆体大厂冲刺的重点。Chun-hwan Kim表示，除了向下一代转型之外，重要的是要认识到HBM行业面临着巨大的需求。到2025年，HBM市场预计将增长40％，SK海力士已尽早卡位市场，还将在2026年开始生产HBM4。