SK 海力士 HBM4 攻入台積電 CoWoS 供應鏈 2026年開始量產

K海力士（SK Hynix）与台积电签署合作备忘录，携手开发下一代高频记忆体（HBM）晶片，透过先进封装技术强化逻辑层与HBM的整合。 路透通讯社

SK海力士19日宣布下一代HBM产品生产和加强融合HBM与逻辑层的先进封装技术，将与台积电（2330）密切合作，双方近期签署了谅解备忘录（MOU）。SK海力士计划与台积电合作开发预计在2026年投产的HBM4，即第六代HBM产品。

SK海力士表示，公司作为AI应用的记忆体领域的领先者，与全球顶级逻辑代工企业台积电携手合作，将会继续引领HBM技术创新。通过以构建IC设计厂、晶圆代工厂、记忆体厂三方技术合作的方式，公司将实现记忆体产品性能的新突破。

两家公司将首先针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸晶（Base Die）进行性能改善。HBM是将多个DRAM裸晶（Core Die）堆叠在基础裸片上，并通过TSV技术进行垂直连接而成。基础裸晶也连接至GPU，起着对HBM进行控制的作用。

SK海力士以往的HBM产品，包括HBM3E（第五代HBM产品）都是公司自身制程制造基础裸晶，但从HBM4产品开始计划采用台积电的先进逻辑（Logic）技术。若在基础裸晶采用超细微工艺可以增加更多的功能。由此，公司计划生产在性能和功效等方面更广的满足客户需求的定制化（Customized）HBM产品。

与此同时，双方将协力优化SK海力士的HBM产品和台积电的CoWoS技术融合，共同应对HBM相关客户的要求。

台积电业务开发和海外营运办公室资深副总经理暨副共同营运长张晓强表示，多年来，台积电与SK海力士已经建立了稳固的合作伙伴关系。通过与此融合了最先进的逻辑工艺和HBM产品，向市场提供了全球领先的AI解决方案。展望新一代HBM4，我们相信两家公司也通过密切合作提供最佳的融合产品，为我们的共同客户开展新的AI创新成为关键推动力。