长江存储量产64层3D快闪记忆体 大陆紫光加速记忆体布局
▲紫光集团在重庆设厂，计划将在2019年底开工建设，预计2021年落成投产。（图／翻摄紫光集团官网）
实习记者施怡妏／综合报导
大陆紫光集团旗下长江存储官方日前宣布，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，用来满足固态硬盘，嵌入式存储等市场的应用需求。原本预计将在今年年底正式量产的64层3D快闪记忆体，现在却提前发布消息，似乎比预期进度进展的更顺利。
根据外媒报导，早在今年8月底，2019中国国际智能产业博览会上，紫光集团已经公开展示长江存储的64层NAND Flash 晶圆，以及第二代64层256Gb 3D NAND，构想都来自于长江存储自研的Xtacking架构设计。长江存储表示，Xtacking产品拥有最高的存储密度，每片晶圆可以切割出超过1000颗裸芯片。
在去年，美国举办的快闪记忆体高峰会(Flash Memory Summit)上，Xtacking的公布获得了大关注。长江存储执行长杨士宁据称，此款晶片「堪比DRAM DDR4的I/O速度，同时带来业界领先的位元密度，象征着NAND市场的巨大飞跃。」长江存储在美国被媒体誉为「中国之光」，Xtacking首度亮相，即获得国际上的关注，与英特尔 (Intel)、美光(Micron)、三星 (Samsung)以及东芝(Toshiba)、西数（WD）等大型半导体公司差距仅一步之遥。
▲长江存储64层3D NAND快闪记忆体晶圆。（图／翻摄自长江存储官网）
长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华表示，「通过将Xtacking引入批量生产，能够提升产品性能，缩短开发周期和生产制造周期，从而推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展。」
今年三星、东芝、美光等公司量产了96层的3D闪存，长江存储将挑战128层以追上与其他厂商的差距。程卫华指出，「到2020年将会推出128层堆栈的3D快闪记忆体，在技术上将更精进，甚至追上与国际龙头厂商的差距。」
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大陆紫光集团DRAM生产计划，一直以来备受业界的关注。8月底紫光集团宣布，与重庆市人民政府签署了「紫光存储晶片产业基地专案合作协议」，正式在重庆建立DRAM工厂与研发中心。紫光集团将在重庆两江新区设立「紫光国芯积体电路股份有限公司」以及「重庆紫光积体电路产业基金」。
根据了解，从目前市场的角度观察，全球超过90%的DRAM市占率主要以三星、SK海力士、美光三家厂商为主，一旦DRAM产业在未来得到一定的具体效益，可能对全球DRAM市场产生影响，若技术成功之后大量生产，透过削价竞争的模式，恐怕对原有的厂商带来极大的威胁。