陆最大快闪记忆体晶片制造商长江存储 起诉美光涉专利侵权

长江存储9日起诉美国美光科技有限公司,指其侵犯8项美国专利。(美联社资料照片)

大陆《第一财经》11日晚引述美国加州北区法院公告,指长江存储已于9日起诉美光科技有限公司(下称「美光」)及全资子公司美光消费产品集团有限责任公司侵犯其8项美国专利。长江存储在专利侵权起诉书中称,诉讼是为了终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新。

长江存储是大陆最大的3D NAND Flash(快闪记忆体晶片制造)厂商。长江存储在起诉书中提到,美光使用长江存储的专利技术,以抵御来自长江存储的竞争,并获得和保护市场份额。诉讼旨在解决以下问题的一个方面:美光试图透过迫使长江存储退出3D NAND Flash市场来阻止竞争和创新。

NAND Flash和DRAM是目前最主要的两种存储介质,NAND Flash可制造SSD(固态硬碟)等记忆体,用于手机、伺服器、PC等产品。此次美光被控侵权的产品包括96层、128层、176层和232层3D NAND产品。

长江存储在以上起诉书中称,长江存储不再是新秀(upstart),而已成为全球3D NAND市场的重要参与者。长江存储表示,2022年11月,分析和跟踪快闪记忆体市场的TechInsights公司得出结论:长江存储是3D NAND快闪记忆体领域的领导者,超过了美光。

2022年10月,美国商务部工业和安全局发布出口管制新规,限制对中国大陆出口晶片制造设备等,将长江存储NAND Flash晶片层数卡在已量产的最新工艺上。当年12月,美国又将长江存储纳入出口管制「实体清单」。

报导指,除NAND Flash外,美光也是主要的DRAM生产商之一。2016年,生产DRAM的另一大存储晶片厂商福建晋华与联电签署技术合作协定,开发DRAM相关制程技术,在福建晋江投资56.5亿美元建设一条12英寸晶圆厂生产线。2017年,美光在美国起诉晋华与联电,称晋华员工窃取其智慧财产权交给晋华。2018年,美国商务部又将晋华列入出口管制「实体清单」。