涉专利侵权！陆记忆体巨头长江存储在美起诉美光

长江存储起诉美光科技及全资子公司美光消费产品集团有限责任公司，理由是侵犯其8项美国专利。图／美联社

陆媒第一财经11日报导，根据美国加利福尼亚北区法院公布的资讯，大陆最大快闪记忆体晶片制造商长江存储已于11月9日起诉美光科技及全资子公司美光消费产品集团有限责任公司，理由是侵犯其8项美国专利。

报导指出，长江存储在专利侵权起诉书中称，诉讼是为了终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新。

长江存储是大陆最大的3D NAND Flash厂商。长江存储在起诉书中提到，美光使用长江存储的专利技术，以抵御来自长江存储的竞争，并获得和保护市占率。

诉讼旨在解决以下问题的一个方面：美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash市场来阻止竞争和创新。长江存储指控美光侵犯了美国专利号为「10,950,623」、「11,501,822」、「10,658,378」、「10,937,806」、「10,861,872」、「11,468,957」、「11,600,342」和「10,868,031」的专利。美光被控侵权的产品包括96层、128层、176层和232层3D NAND产品。

长江存储在以上起诉书中称，长江存储已成为全球3D NAND市场的重要参与者。长江存储表示，去年11月，分析和跟踪快闪记忆体市场的TechInsights公司得出结论：长江存储是3D NAND快闪记忆体领域的领导者，超过了美光。

NAND Flash可制造SSD等记忆体，用于手机、伺服器、PC等产品。2018年，长江存储量产第一代32层3D NAND Flash晶片，2019年量产64层256Gb TLC 3D NAND快闪记忆体，2020年跳过96层研发两款128层快闪记忆体产品。长江存储此前还推动扩产。集邦咨询分析称，2022年第三季，受长江存储扩大笔电Client SSD出货等影响，价格战日益激烈，原厂不得不拉大议价空间，吸引客户提高订单数量。

2022年10月，美国商务部工业和安全局公布出口管制新规，限制对中国出口晶片制造设备等，将长江存储NAND Flash晶片层数卡在已量产的最新工艺上。当年12月，美国又将长江存储纳入出口管制实体清单。