再告美光侵犯11項專利 長江存儲要求停止在美販售侵權產品

美光。路透

大陆3D NAND快闪记忆体制造商长江存储（YMTC），日前再度将美光告上法院，指控美光侵犯了长江存储11项专利，涉及3D NAND Flash及DRAM产品。长江存储还要求法院勒令美光停止在美国销售侵权的记忆体产品，同时支付专利使用费。

美国科技网站Tomshardware报导，长江存储指控称，美光的96层（B27A）、128层（B37R）、176层（B47R）和232层（B58R）3D NAND Flash以及美光的一些DDR5 SDRAM产品（Y2BM系列），侵犯长江存储在美国提交的11项专利或专利申请。

值得一提的是，2023年11月，长江存储在美国加州北区地方法院，对美光及子公司美光消费类产品事业部提告，指控美光侵犯8项与3D NAND Flash相关的美国专利。

今年6月7日，长江存储由在美国加州北区联邦地区法院提告，指控受美光资助的丹麦咨询公司Strand Consult及副总裁雷顿（Roslyn Layton）散布虚假讯息，破坏长江存储的市场声誉和商业关系。

长江存储正试图透过专利来打击美光，以获得对抗美国打压的筹码。

美国商务部于2022年底将长江存储列入了实体清单，这使得该公司无法从美国公司获得先进的半导体设备来制造领先的128层及以上的3D NAND Flash器件。

尽管受到美国政府的严格限制，长江存储仍继续努力透过原有的设备，及大陆国产设备发展3D NAND Flash。该公司的Xtacking 3.0产品依然在奋力的维持生产，并正在开发新一代的Xtacking 4.0架构的3D NAND Flash。

今年早些时候，长江存储还宣布，已设法将3D QLC NAND Flash的耐久性大幅提高到3D TLC NAND Falsh的水准（达到4000个程式设计/擦除周期），这大大改善了廉价SSD的特性。