長江存儲 再告美光侵權

大陆3D NAND快闪记忆体制造商长江存储，再度将美光告上法院。（图／取自Business Korea）

大陆记忆体制造大厂长江存储（YMTC）再度将美光告上美国加州法院，指控美光侵犯其11项专利，涉及3D NAND Flash及DRAM产品。长江存储还要求法院勒令美光停止在美国销售侵权的记忆体产品，同时支付专利使用费。

美国科技网站Tomshardware报导，长江存储指控称，美光的96层（B27A）、128层（B37R）、176层（B47R）和232层（B58R）3D NAND Flash以及美光的一些DDR5 SDRAM产品（Y2BM系列），侵犯长江存储在美国提交的11项专利或专利申请。

值得一提的是，2023年11月，长江存储在美国加州北区地方法院，对美光及子公司美光消费类产品事业部提告，指控美光侵犯八项与3D NAND Flash相关的美国专利。

今年6月7日，长江存储还在美国加州北区联邦法院提告，指控受美光资助的丹麦咨询公司Strand Consult及副总裁雷顿（Roslyn Layton）散布虚假讯息，破坏长江存储的市场声誉和商业关系。

美国商务部于2022年底将长江存储列入实体清单，这大大增加该公司从美国公司获得先进晶圆厂设备以制造其市场领先的3D NAND设备的难度。去年，该公司面临更大的问题，因为美国商务部禁止销售可用于制造具有超过128层及以上的3D NAND Flash设备和技术，又一次打击该公司。

尽管受到美国政府的严格限制，长江存储仍继续努力透过原有的设备，及大陆国产设备发展3D NAND Flash。该公司的Xtacking 3.0产品依然在奋力的维持生产，并正在开发新一代的Xtacking 4.0架构的3D NAND Flash。

今年早些时候，长江存储还宣布，已设法将3D QLC NAND Flash的耐久性大幅提高到3D TLC NAND Falsh的水准，这大大改善了廉价SSD的特性。此外，长江存储还在开发基于Xtacking 4.0架构的晶片，最快可能会在今年底出现，层数超过了300层。

长江存储正试图透过专利来打击美光，以获得对抗美国打压的筹码。公开资讯显示，长江存储成立于2016年，总部位于湖北武汉， 主要专注于3D NAND型快闪记忆体设计制造，已于2022年实现232层3D NAND量产，且二期规划产能将达到30万片／月，股东主要有湖北国资以及大基金二期。