紧追三星、美光 长江存储产量拚翻倍

紫光集团旗下、大陆最大的快闪记忆晶片制造商长江存储，计划将2021年的产量增加1倍，并开始率先生产192层3D NAND晶片，希望借此缩短与韩国三星、美国美光（Micron）的竞争差距。

日经亚洲评论引述知情人士透露，大陆推展晶片制造的重点企业长江存储计划2021年下半年将记忆体晶片的月产量提高1倍至10万片，约占全球总产量的7％，借此缩小与三星、美光的差距。

三星电子目前每月约生产48万片，而美光的月产能约为18万片。

报导指出，长江存储除了计划增产之外，也在加快技术开发进程。知情人士表示，长江存储最快将于2021年年中试产第一批192层3D NAND晶片。

但因先进制程的复杂性，长江存储需要时间确保量产晶片品质，此一计划有可能会被推迟到2021年下半年。即使如此，对大陆本土业者而言仍是相当大的突破。

长江存储自2017年10月透过自主研发与国际合作方式，成功完成大陆自有技术3D NAND研发后，2020年4月宣布完成128层3D NAND晶片的开发工作，并于2020年底开始批量生产。

目前三星和美光等国际厂商仍致力开发176层3D NAND晶片，最先进的量产产品仅128层。

一名消息人士表示，对于增产的部分，自2020年第三季以来，长江存储一直忙于引入和安置必要的设备及扩大生产线。该公司目前生产64层和128层3D NAND晶片，日后将逐步增加后者的生产比重。

消息人士还指出，长江存储的128层晶片的良率目前约在70％，仍有提升的空间。大陆半导体行业人士表示，这已经是一个重大突破，但长江存储仍需要大量的企业合作，同时等待全球顶级客户接受并采用其NAND晶片产品。目前长江存储的大陆重要客户包括联想、华为等。

报导并指出，长江存储已经对全球传统的NAND市场带来影响，英特尔在2020年将旗下的NAND业务出售给SK海力士的时候，部分市场人士即认为，此举是英特尔为了避免来自长江存储的激烈竞争所做出的决定。