长江存储NAND快闪记忆体 大跃进

中国记忆体巨头长江存储已成功开发并量产232层NAND快闪记忆体，缩短与记忆体龙头三星电子及SK海力士的差距。图／新华社

半导体分析公司TechInsights近日发表报告显示，遭美国制裁的中国记忆体巨头长江存储已成功开发并量产232层NAND快闪记忆体，缩短与记忆体龙头三星电子及SK海力士的差距。

NAND是一种即使断电也能保存资料的记忆半导体，需要先进的叠层技术，由于叠层会影响资料容量的多寡，为NAND竞争关键。

韩国媒体BusinessKorea在30日引述TechInsights报告指出，今年7月推出的1TB消费级固态硬碟（SSD）致钛（ZHITAI）600商品中，发现长江存储生产的232层4层单元（QLC）3D NAND记忆体。对比其他厂商，三星电子虽未对外透露相关资料，但市场传闻其NAND最高堆叠层数为236层，而SK海力士NAND为238层，意味着长江存储可能开始缩小与韩国企业的差距。

不过，TechInsights报告对长江存储的3D NAND，是否完全以大陆设备或元件生产并无着墨。

南华早报4月曾报导，长江存储去年以其旗舰232层X3-9070 3D NAND快闪晶片试图挑战记忆体晶片龙头三星电子、SK海力士与美光科技，但在美国设备供应商科磊与科林为遵守美国出口管制新规而停止对长江存储供货及提供服务后，长江存储能否量产该款晶片成为疑问。

报导指出，长江存储在美国制裁的情况下，计划使用国产设备生产先进的3D NAND。这些国内供应商包括北方华创科技集团，相关计划已取得进展。

另有业界人士表示，长江存储升级原有Xtacking结构，最新4.0架构性能将与其他NAND原厂200层以上产品性能表现相当。