三星拟在大陆西安加码投资2438亿元　扩建NAND Flash 快闪记忆体工厂！

▲三星计划在大陆投资扩建记忆体工厂。（图／达志影像／美联社）

记者陈心怡／外电报导

在 2020 年电子产业有望复苏的情况下，记忆体龙头三星电子，计划将对位于中国大陆西安记忆体工厂增加80亿美元（约新台币 2,438 亿元）投资，以促进 NAND Flash 快闪记忆体的产量。

根据《路透社》报导，三星是全球最大的 NAND Flash 快闪记忆体制造商，这些晶片可以用于行动设备、记忆卡、USB 和 SSD 固态硬碟中，并永久保存数据。

而现阶段中国大陆积极布局5G网路，对5G设备需求不断上升，因此预计2020年全球NAND Flash 快闪记忆体市场将出现反弹。三星此次投资，正值全球记忆体市场预计于2020年反弹之际，看来是抢先为中国大陆记忆体生产线的投资预先准备。

这次是三星NAND Flash 快闪记忆体计划的第二期第2阶段投资，第一期投资总额为108亿美元。现在第二期计划预计总投资150亿美元，包括第1阶段70亿美元，以及第2阶段的80亿美元。第二期计划预计在2021年下半年完工，完工后将新增产能每月13万片，新增产值约新台币1,314亿元。

三星在 NAND Flash 快闪记忆体领域的竞争对手包括SK海力士、美国美光科技和日本东芝公司，此外，还有几家中国大陆企业也正尝试打入该市场。

虽然中国大陆扬子存储技术公司宣布开始大规模生产 64层3D NAND Flash 快闪记忆体，不过相对于三星、海力士、美光和东芝等有能力生产96层的大厂牌，中国大陆厂商可说是还完全看不到国际大厂的车尾灯。