三星新年计划 冲刺NAND Flash、晶圆代工
韩国半导体大厂三星电子2021年投资动向备受业界瞩目，据外电消息，三星在2021年的资本支出将着重于NAND Flash及晶圆代工的技术升级及产能扩充，包括176层3D NAND的第七代V-NAND产品线进入量产，以及扩建极紫外光（EUV）产能以因应5奈米及3奈米晶圆代工强劲需求。至于DRAM产能建置在2020年已经完成，2021年投资金额及扩产规模相对保守。
三星2021年记忆体投资将以NAND Flash为主体，主要策略点是为了拉开与竞争对手铠侠、美光、SK海力士等技术及产能差距。三星虽然领先同业发布176层3D NAND技术，但美光及SK海力士在2020年底已宣布在176层3D NAND技术取得突破，所以三星面临对手后来居上的压力。
再者，第二大厂铠侠（Kioxia）与合作伙伴威腾（WD）持续扩建NAND Flash新厂，包括在日本岩手县北上市新厂K1已开始小量生产，K2厂已计划在2021年上半年动工，预计2022年上半年开始生产，至于位于日本三重县四日市生产基地的Fab 7第一期将于2022年上半年完工。
对三星而言，对手积极扩产及技术升级加速，加上SK海力士将收购英特尔NAND Flash事业，所以2021年势必要更积极加码在NAND Flash投资。三星的中国西安厂二期第一阶段已量产，第二阶段在2021年下半年完工，韩国平泽P2厂的NAND Flash新产能预计2021年下半年量产。
三星晶圆代工的韩国华城厂已在2020年量产采用EUV技术的5奈米制程，平泽厂也扩大5奈米产能因应强劲晶圆代工需求。虽然三星要在产能规模追赶上台积电仍有很大的难度，但三星2021年将投下巨资扩建EUV产能及加速3奈米制程研发，希望2022年3奈米可投入量产。
不过，随着近期DRAM市况明显好转，且业界对2021年第一季价格止跌上涨已有共识，但三星2021年在DRAM事业的资本支出却趋于保守，业界分析除了计划扩增的产能在2020年已完成建置，亦希望维持DRAM市场供需平衡，可为三星带来稳健的营收及获利。