调控DRAM、NAND Flash产能 三星拚拉升报价

其中，DRAM因库存改善，稼动率预计自2024年第四季的70％，恢复至2024年第一季的81％、第二季再回升至89％。

三星电子旗下记忆体晶片事业，将在2024年第一季转亏为盈，预告记忆体产业将开始复苏。

产业界人士分析，三星的2023年DRAM、NAND Flash第四季位元出货量，优于先前展望，主要因三星记忆体的价格涨幅小于同业，因而加速库存去化速度，其中，尤以DRAM改善较显著。

三星将继续选择性地调整生产DRAM、NAND Flash产品，由于第一季属产业淡季，三星2024年第一季DRAM及NAND Flash位元出货量，预期皆呈季减，但报价将持续拉升。

由于三星的DRAM库存已去化至八～十周，预期将在2024年第一季季末恢复正常，而NAND Flash 库存，将在2024年上半年内恢复正常。

三星预计于2024年上半年开始量产HBM3E 24GB产品，并于下半年开始量产HBM3E 36GB产品，进度有所提前。

三星更新一代的HBM4，目前也正在开发中，预计2025年推出样品，2026年量产。

就HBM3及HBM3E而言，目前用在AI伺服器的HBM3，仍以SK海力士为独家供应商，后段封装良率最为优异，其次为美光。

据业界的了解，HBM3E将于2024年第一季开始量产，由于美光将后段TSV及堆叠外包台积电，已加速了产品量产速度。