《科技》记忆体旺季复苏2关键 DRAM、NAND Flash价格Q4这样看

今年最后一个季度，受到通货膨胀和货币紧缩政策的持续影响，消费者购买力能否如预期为这个传统销售旺季注入一剂强心针，恐怕还是个大问号。SMART Modular分析记忆体市场概况，仅管消费市场仍存在不确定性，但记忆体产业已开始出现些许复苏的迹象，主要是受惠于上游晶片大厂为去化库存而进行的减产效应，而其中新兴的生成式AI人工智慧，以及云端运算应用更是加速记忆体市场复苏的强大助力。

DRAM/Flash记忆体价格更新与Q4市场展望，市场概况分析，去化库存虽有进展但未如预期，供应商将持续减产。供应商不愿再承担亏损以达到销售，因此预期将调涨特定产品报价。但市场需求持续低迷，买家仍以优化库存为主要考量，并未因价格在低档水位而积极补货。预期当市场库存达到健康水位后会进行进货调节，而供应商是否确实减产与市场需求将会是影响库存调节的重要关键。

伺服器市场方面，通膨对整体需求已造成影响，尽管云端服务供应商(CSP)对AI伺服器应用所需的高容量记忆体与高频宽记忆体(HBM)有一定的需求，但受限于现阶段AI伺服器的发展，这些需求仍无法有效降低供应商既有产品的库存。反而传统伺服器的需求仍是近期市场是否反转的关键。至于DDR5占供应商库存水位比例由第二季的20%提高至目前的30-35%，然而第三季的DDR5在伺服器的渗透率仅有15%，突显出持续强化DDR5相关应用的重要性。展望第四季，伺服器出货量预估与第三季持平，约为490万台。

PC/NB市场上，今年第三季PC出货量约为6820万台，较去年同期下滑7.6%，但较上一季6160万台增加了10.7%。第四季为传统销售旺季，有机会带动出货动能。尽管市场复苏的节奏缓慢，但随着Windows 10停止支援更新，将有助于推动2024下半年及之后的销售。

综观记忆体展望，以DRAM市场，在持续优化库存水位与供应商计划减产效应下，第四季供给需求比(Sufficiency Ratio)预估来到-17.28%。前三大DRAM供应商已提高部分产品报价以确保获利，整体DRAM平均销售价(ASP)季增(QoQ)预估成长3-8%。

NAND Flash市场展望，三星预计于第四季扩大降低NAND Flash产能利用率，减幅可达50%，可能连带影响其他供应商也持续跟进减产计划。在此情形下，预估NAND Flash供给需求比(Sufficiency Ratio)来到-28.5%。面对需求大于供给的情况，整体NAND Flash平均销售价格(ASP)季增率(QoQ)预估成长8-13%。