掌握AI关键自主技术？　长鑫存储传可量产HBM2记忆体

▲总部位于安徽合肥的长鑫存储，成立于2016年。（图／翻摄自长鑫存储官网）

大陆中心／台北报导

正对高频宽记忆体（HBM）晶片攻关的中国记忆体大厂长鑫存储，近日传出已可量产HBM2记忆体。HBM2对于中国在先进AI和高性能计算（HPC）领域具有关键技术意义。长鑫存储若能顺利实现量产，将比原先估计的时间提前两年左右，对中国的科技发展具有重大意义。

总部位于安徽合肥的长鑫存储成立于2016年，专注于动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产，是中国寄望在DRAM「赶超」的希望。美国《华盛顿邮报》先前报导，长鑫存储也谋求开发高频宽记忆体（HBM）晶片，这种记忆体也被应用于AI伺服器运算等高阶用途，以提高记忆体堆叠和处理器之间的资料传输速度。

为此，长鑫采购制造HBM所需设备，外媒Tom’s Hardware曾报导指出，设备来源包括获得出口许可的美国的应材（Applied Materials）和科林研发（Lam Research），但大概需要一至两年时间才能实现量产。

与此同时，美光科技（Micron）、三星（Samsung）和SK海力士（SK Hynix）已经开始量产更新的HBM3及HBM3E记忆体，并计划在2026年投产第六代HBM产品HBM4。相较之下，长鑫存储仍明显落后于这三家公司。

这次传出长鑫存储研发出HBM2记忆体，虽然还未获得证实，且良率状况也不清楚，但仍意味中国在记忆体自主领域的一大突破，因为不仅在连接零组件的过程中相当复杂，更需要先进封装技术。

此外，由于美国在本月可能公布一项出口管制计划，将进一步限制美国盟友出口中国晶片，路透引述消息人士指出，大陆华为、百度等公司，正在市场积极搜购三星电子生产的高频宽记忆体（HBM）晶片，使得中国买家约占据三星HBM晶片营收的三成左右。