陆记忆体巨头利用高启全最强作 能超车三星、美光？
大陆紫光集团旗下的记忆体制造大厂长江存储，近期传出2021年产量倍增，将投产先进技术晶片，2021年中试产 192 层3D NAND，打算与该产业的巨头三星电子、美国记忆体大厂美光一较高下。
据《日经亚洲评论》报导，长江存储计划于今年下半年，将记忆体晶片产能扩增至月产能10万片，占全球产出7%。至于NAND 型快闪记忆体龙头制造商三星，月产能为48 万片，美国龙头厂商美光为月产能18万片。
长江存储打算加强发展进程，最快今年中就有机会试产第一批192 层 3D NAND 快闪记忆体。被市场誉为台湾DRAM教父的前紫光集团全球执行副总裁高启全，在2015年10月退休后转战紫光，震撼半导体业界。高启全当时同时担任长江存储执行董事及代行董事长、武汉新芯执行长等职位，就是要抵抗当时在记忆体领域独霸的三星电子。
高启全完成合并武汉新芯及NAND Flash整合，并成立长江存储及完成3D NAND技术发展，成功开发Xtacking 技术，2020年4月完成128 层 3D NAND研发，并加速3D NAND 技术，追赶三星、SK 海力士等大厂。高启全在5年合约期满后，2020年10月离职并转进台湾再生晶圆厂辛耘，于湖北投资12吋再生晶圆厂。
该计划可能延至2021年下半年，因为需要保留时间维持产品品质，但这对于大陆半导体自主化是一注强心针。目前三星、美光正开发176 层 3D NAND，产能最先进版本为128 层。
至于长江存储计划中的192 层，在定义上确实比三星、美光进步，但业界保持质疑态度，主要是要等到产品发表并发售后，所展现的效能如何才能评断。目前消息指出，良率约70%，主要客户包括华为、联想集团。
市调机构 IC Insights日前发表研究报告指出，包括长江存储、长鑫存储努力打造大陆本土生产线，但直至2025年，大陆还是会有超过半数的半导体透过海外厂商，包括台积电、三星、联电以及SK海力士等厂商生产晶片。