搭AI热 高效能记忆体得利

韩厂SK海力士（SK hynix）预期，AI伺服器市场中长期年复合成长率将达30％，整体伺服器需求（包含一般型伺服器）将会以年复合成长率7～9％成长，将成为记忆体的成长动能。

SK海力士指出，与AI相关的记忆体需求显著成长，已增加高密度DDR5、LPDDR5、HBM产品，使公司出货量优于先前展望，产品单价（ASP）也比前一季度高。根据TrendForce调查显示，2023年HBM（High Bandwidth Memory）市场主流为HBM2e，包含辉达（NVIDIA）A100／A800、超微（AMD）MI200以及多数CSPs（云端服务业者），自研加速晶片皆以此规格设计。

同时，为因应AI加速器晶片需求演进，各原厂再于2024年推出新产品HBM3e，预期HBM3与HBM3e将成为明年市场主流。

若探究HBM各世代差异，主要以速度做细分，除了市场已知的HBM2e外，在进入HBM3世代时，产业出现较为混乱的名称。

TrendForce表示，目前市场所称的HBM3，实际需细分为两种速度讨论，其一，5.6～6.4Gbps的HBM3；其二，8Gbps的HBM3e，别名HBM3P、HBM3A、HBM3+、HBM3 Gen2皆属此类。

目前三大原厂HBM发展进度如下，两大韩厂SK海力士、三星（Samsung）先从HBM3开发，代表产品为NVIDIA H100／H800以及AMD的MI300系列，两大韩厂再预计于2024年第一季送样HBM3e；美系原厂美光（Micron）则选择跳过HBM3，直接开发HBM3e。