利空出尽？ 记忆体厂开盘拉高
▲记忆体短期利空出尽，22日股价止跌反弹，为市场对供过于求仍忧虑。(图/本报资料照片)
近期，记忆体的利空消息不断！除了美商美光科（Micron）遭调降投资评等及目标价，使得股价重挫之外，半导体业龙头英特尔（Intel）也传出准备砸重金把位在中国大连的厂房改造成最顶尖的记忆体晶片厂，总投资规模最高上看55亿美元的消息，使得外界忧虑未来记忆体恐有供过于求的情况。继前一日国内冲击记忆体各股股价之外，22日各家记忆体厂商虽开盘依旧维持弱势的情况。不过，在低点买盘的进注下，股价逐步回温翻红。
国内记忆体龙头股华亚科将在27日将召开法人说明会，并公布上季财报。尽管上季财报可望较前一季成长。但这两天股价受到母公司美商美光科（Micron）遭调降投资评等及目标价，连带拖累华亚科22日股价开盘持续走弱。但似乎是市场预估利空出尽，进场买点显现的影响下，低点开始有买盘进驻，股价迅速拉回翻红。至于，南亚科与华邦电股价也在开盘后，股价于低点逐步走高的表现。
由于市场对DRAM后市仍有疑虑，市场分析师预期，DRAM产业利润率恐得等到2017年才可望改善，并非市场普遍预期的2016年2月。虽目前尚未看到DRAM大厂有明显调降资本支出的动作，整体DRAM产业供过于求情况恐将延续到明年。
而在考量供需与库存指标，外资预估未来两季价格与毛利率还会下滑，给予南科中立投资评等，同时给予华亚科减码评等。不过，南亚科日前法说会就已经表示，PC与智慧型手机需求有回温迹象，将使得本季DRAM价格跌势趋缓，加上季节性的节日需求带动，预期本季的表现会比上季好，惟对明年的预估仍审慎。
不过，外资对于DRAM明年市况较保守，主要是美光明年将在日本尔必达晶圆厂砸下8亿美元，持续扩产及海外子公司的制程微缩进度加快，都可能造成供给量的提升，因此，对明年的看法不敢太过乐观。
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