记忆体3大厂 拚明年Q1损平

记忆体产业不景气的循环，已持续长达一年，导致三大原厂扩大减产，以减少流血输出。龙头厂三星NAND稼动率今年第四季降到50％，主要理由有二:一是制程转换，必须停线，其次是市况不好，透过减产达到涨价目的。

业界人士指出，近期NAND回温速度优于市场预期，近期涨幅较DRAM明显，除减产策略奏效外，手机大容量需求，也带动NAND出货的提升。

业者指出，现货价为先行指标，NAND Wafer 1Tb TLC现货价反弹27％、主流产品512Mb TLC 弹幅25.7％，256Mb TLC 16％，由市场供需而言来看，目前涨价趋势将持续到明年，预估第四季价格持续收敛，甚至有机会出现现货与合约黄金交叉。

在DRAM部分，三星已由第二季的减产20％，到近期宣布，第四季将减产幅度拉高至30％，策略已见奏效，且得益于报价拉擡，从9月初起，DDR5 16Gb现货价自低点反弹5.15％、DDR4 8Gb反弹 3.44％、DDR3 4Gb反弹6.04％。

其中，尤以DDR3涨幅最大，主因是大厂DDR3产能较少，率先缩减后，并将产能转往更高阶产品，因此，DDR3市场供不应求，也反映出下游端库存已逐步去化，进而产生需求。业界人士研判，DRAM景气谷底循环接近尾声，近期已有原厂宣布调升合约价，预期第四季可见产品均价弹升。