记忆体大厂减产自救

DRAM及NAND Flash合约均价变化

消费性电子需求疲弱，晶片生产链加快库存去化，记忆体同样面临供过于求压力，DRAM及NAND Flash第三季合约价格大跌，价格跌势恐延续到明年上半年。为了减缓价格下跌速度及幅度，包括美光、铠侠等大厂已透露将减产保价，业者预期韩系大厂第四季应会加入减产行列，让记忆体价格在明年第一季提前触底。

台湾记忆体厂南亚科、华邦电等目前没有减产动作，包括威刚、群联等模组厂则降低库存因应，业者寄望国际大厂减产能让下半年价格跌势放缓，明年上半年价格若有效止跌，看好明年全年营运可望如倒吃甘蔗逐季回温。

第三季DRAM合约均价跌幅约达15％左右，其中标准型8GB DDR4模组合约均价季减14.15％达24.87美元，伺服器32GB DDR4模组合约均价季减14.07％达116美元。利基型DRAM的4Gb DDR4及2Gb DDR3第三季合约均价较上季下滑15％～17％之间，第四季恐全面跌破2美元整数价位。

第三季NAND Flash合约价较上季下跌约7％～8％，其中128Gb MLC NAND合约均价季减7.58％达4.40美元，64Gb MLC NAND合约均价季减6.99％达3.17美元。主要应用在工控领域的4Gb及8Gb SLC NAND第三季合约均价普遍较上季下跌8％左右。

集邦日前预期在高通膨影响下，消费性产品需求疲软且旺季不旺，终端买方因需求明显下滑而延缓采购，导致供应商库存压力进一步升高。DRAM供应商为求增加市占的策略不变，导致第四季DRAM价格续跌13～18％。至于各类NAND Flash终端产品需求仍然疲弱，原厂库存急速上升，预期将导致第四季NAND Flash总体平均价格跌幅扩大至15～20％。

面对记忆体价格急跌，业者已计划减产因应，其中，美光在日前法人说明会中指出，第四季会开始放慢生产速度来缩减位元供给量，并决定降低2023年会计年度资本支出达30％，晶圆设备采购支出会降低50％。至于铠侠已宣布将减产30％，约影响全球产能约9％幅度。业者除了希望减产保价，也期望价格在明年第一季提前触底。