记忆体厂抢HBM 美光跳阶

根据TrendForce报告指出，记忆体原厂在面临辉达（NVIDIA）以及其他云端服务业者（CSP）自研晶片的加单下，加大TSV（矽穿孔）封装产线来扩增HBM产能。

从目前各原厂规划来看，预估2024年HBM供给位元量将年增105％，不过，考量TSV扩产加上机台交期与测试所需的时间合计可能长达9～12个月，TrendForce预估，多数HBM产能要等到2024年第二季才可望陆续开出。

由于今明年属AI建置爆发期，故大量需求挹注在AI Training晶片，并推升HBM使用量，后续建置转为Inference以后，对AI Training晶片及HBM需求的年成长率则将略为收敛。

因此，原厂此刻在HBM扩产的评估正面临抉择，必须在扩大市占率以满足客户需求，及过度扩产恐导致供过于求间取得平衡。

值得注意的是，目前买方在预期HBM可能缺货的情况下，其需求数量恐隐含超额下单（Overbooking）的风险。

观察HBM供需变化，2022年供给无虞，2023年受到AI需求突爆式增长导致客户的预先加单，即便原厂扩大产能但仍无法完全满足客户需求。

展望2024年，TrendForce认为，基于各原厂积极扩产的策略下，HBM供需比（Sufficiency Ratio）有望获改善，预估将从2023年的－2.4％，转为0.6％。

以HBM不同世代需求比重而言，TrendForce表示，2023年主流需求自HBM2e转往HBM3，需求比重分别预估约是50％及39％。

随着使用HBM3的加速晶片陆续放量，2024年市场需求将大幅转往HBM3，而2024年将直接超越HBM2e，比重预估达60％，且受惠于其更高的平均销售单价（ASP），将带动2024年HBM营收显著成长。