国外大厂有意扩产DDR5、HBM 记忆体台厂：暂不影响DDR4报价

海力士透露，公司可能于第一季缩小DRAM减产幅度，NAND Flash生产策略可能视情况在第二季或第三季跟着调整。

针对记忆体大厂有意扩产，国内记忆体厂商则认为，海力士扩厂应集中在DDR5和HBM（高频宽记忆体）产品为主，因为台湾目前产品主攻DDR4，不致影响产品报价。

TrendForce日前报告指出，2024年第一季DRAM合约价季增约13～18％，NAND Flash合约价季涨幅约15～20％。TrendForce表示，原厂在2024年需求展望不明之际，持续减产，维持产业供需平衡，第一季DRAM涨幅，以Mobile DRAM的18～23％最大，主因在于买方倾向于合约价于历史相对低点时建立安全库存水位，持续放大备货需求。

在Server和PC DRAM上，由于DDR5渗透率持续提升，原厂亦持续扩大利润较佳的DDR5出货占比，本季涨幅均为10～15％。

至于台厂着墨较深的Consumer DRAM，虽进入产业淡季影响终端销售，但原厂强势拉擡报价致使买方提前备货，其中，DDR4产能受高频宽记忆体（HBM）和DDR5排挤，本季涨幅为10～15％，DDR3则在库存水位较高下，本季涨幅均为8～13％。

在NAND部分，尽管适逢传统淡季，需求呈现下降趋势，但为避免缺货，买方持续扩大NAND Flash产品采购以建立安全库存水位，而供应商为减少亏损，对于推高价格势在必行，各项产品多有双位数涨幅。惟NAND Flash Wafer由于短期涨幅已高，加上第一季需求尚未全面复苏，模组厂开始销售Wafer库存，锁定获利及维持营运现金流，导致买方追价意愿降低。第一季NAND Flash Wafer合约价季涨幅收敛，TrendForce预估约8～13％。