记忆体厂节制扩产 涨价趋势不变

美光也指出，资料中心需求增长，有助抵销个人电脑与智慧手机市场复苏缓慢情势，2024年记忆体市况将复苏、价格回升，2025年进一步上涨，且市场规模将创新高。

业界人预期，随市场回温，台系记忆体族群产业复苏顺序，将依序由下游模组厂、上游制造、代工厂到封测厂，业绩逐渐回到成长轨道。

据业界了解，11～12月期间，随PC及手机补库存需求延续，SK海力士及威腾分别提升DRAM及 NAND Flash工厂稼动率。

三星（Samsung）及SK海力士的DRAM及NAND Flash投片量，也预计于第四季恢复至2022年第四季的高峰，但稼动率虽有所提升，产品报价尚未回到成本之上。

资本支出方面，在第四季期间，产业界出现上修消息的公司，为中国大陆的长鑫存储及长江存储。其中，长鑫存储在获得美国许可投资19nm DDR3／DDR4后，即积极扩产，预计在2024上半年投放合肥二期及北京二期新厂。

长江存储则在美国制裁下，自行研发第二代 128层NAND Flash制程（X2），并培植本土设备供应链，预计在2024年重启扩产。

另根据研调机构预估，2024年DRAM资本支出将和2023年相当，NAND资本支出则低于2023年约7～9％，并未有大幅扩产现象。

目前DRAM及NAND设备产能利用率，仅在先前高峰时的75～80％、60～65％，而原厂的资本支出，将主要用于1b／1c nm制程扩充，以及HBM／200L 3D NAND相关需求。

产业界人士指出，近期记忆体报价趋于稳定，主要是因年末需求减缓，交易行情较为冷清，但各大原厂在亏损下，涨价意图坚决，因此在未回到成本之上前，预期记忆体报价涨势趋势不变。