记忆体报价涨势估不变

展望2024年，业者乐估，大厂产能扩张仍属节制，记忆体报价将维持上涨趋势不变。图／freepik

手机相关记忆体均价涨幅预估

记忆体产业走过整个2023年，由「去库存」转至「补库存」，加上AI高速运算所需搭配高频宽记忆体（HBM）需求大增，国际大厂包括三星、SK海力士等稼动率逐渐恢复，展望2024年，业者乐估，大厂产能扩张仍属节制，记忆体报价将维持上涨趋势不变。

据业界了解，2023年11～12月期间，随PC及手机回补库存需求带动，SK海力士及威腾分别提升DRAM及 NAND Flash工厂稼动率。

三星及SK海力士的DRAM及NAND Flash投片量，也在2023年第四季恢复至2022年第四季的高峰，但稼动率虽有所提升，产品报价尚未回到成本之上。

在资本支出方面，2023年产业界出现上修消息的企业，为中国大陆的长鑫存储及长江存储。其中，长鑫存储在获得美国许可投资19nm DDR3／DDR4后，即展开积极扩产，预计2024年上半年投放合肥二期及北京二期新厂。

长江存储则在美国制裁下，自行研发第二代128层NAND Flash制程（X2），并培植本土设备供应链，预计在2024年重启扩产。

研调机构预估，2024年DRAM资本支出将和2023年相当，NAND资本支出则低于2023年约7％～9％，并未有大幅扩产现象。

截至2023年第四季，DRAM及NAND产能利用率，仅在先前高峰时的75％～80％、60％～65％，而原厂资本支出，将主要用于1b／1c nm制程扩充，以及HBM／200L 3D NAND相关需求。

业界人士指出，近期记忆体报价趋于稳定，主因季节性淡季需求减缓，交易行情冷清，但各大原厂在亏损下，涨价意图坚决，因此，在未回到成本之上前，预期记忆体报价涨势趋势不变。

中国大陆手机备货需求畅旺，TrendForce上修2024年第一季手机相关记忆体报价展望，将Mobile DRAM涨幅从原本预估的上涨8％～13％，上修至18％～23％，将eMMC／UFS涨幅，由原本的5％～10％，上修至18％～23％，即是一例。