美光拚超车 剑指AI记忆体

美光台中四厂落成启用，总统蔡英文（前排左六）亲自出席，美光总裁暨执行长梅罗特拉（前排右六）及多位重要政治人物出席。图／美光提供

台湾美光台中四厂启用的意义

美光HBM3E（高频宽记忆体）明年第一季在台量产，将抢攻辉达（NVIDIA）人工智慧超级电脑DGX GH200商机，美光总裁暨执行长梅罗特拉（Sanjay Mehrotra）表示，台中四厂将整合先进探测与封装测试功能，以量产HBM3E及其他产品，未来十年将创造数百个新的工作机会。

美光全力打造亚洲AI记忆体生态系，美光技术开发事业部资深副总裁陈德拉斯卡（Naga Chandrasekaran）指出，美光重要节点1-beta今年下半年在台湾落脚，HBM3E样品开发也在台湾，并透过台湾美光的组装与测试，正式向客户提供HBM3E样品。

他指出，台湾不仅是半导体产业最主要生产地点，台湾的垂直整合能力、制造网路，使美光得以从晶圆制造、探测到成品组装一应俱成，继续巩固美光的记忆体龙头地位。

台湾美光董事长卢东晖分析，美光的优势是多元分工，这对促进创新非常关键，集合美国、印度、日本及台湾顶尖脑力共同合作。

继美光宣布于中国大陆和印度扩大后段封测制程之后，台中四厂的落成启用进一步强化了美光遍布于台湾、中国大陆、新加坡和马来西亚的全球封装与测试网络。

■1-gamma制程 估2025放量

台中四厂除生产DDR5的1-beta制程扩大产能外，专攻AI的高频宽记忆体（HBM3E），预计2024年第一季在台湾放量，而采用EUV技术量产的1-gamma制程，也正在紧锣密鼓进行研发，预计2025年首先在台量产。

此外，美光的HBM3E在美国及印度研发，日本广岛厂做矽晶穿孔，台湾厂做后段封装，卢东晖表示，产品送样后，客户反应很好，一旦量产将供不应求。

业者指出，DRAM三大业者如三星、SK海力士及美光（Micron），已完成HBM2E产品开发，美光虽较同业约晚一年时间才推出高频宽记忆体（HBM），但将凭着新世代HBM3E产品弯道超车，有望在HBM竞赛中扳回一城，预料美光的HBM3E将卡位辉达明年推出的DGX GH200商机。

HBM3E是由24GB晶粒组装成8层高度的立方体，相较市面上量产的HBM产品，容量扩大50％，且提供1.2TB/s以上频宽及卓越功耗效率，相较上一代产品，每瓦效能也是上一代的2.5倍。美光3D堆叠技术，使HBM3E在极有限的空间中，满足高频宽与大容量的需求，可直接应用语言模型运算、边缘运算AI等产品上。