三星宣布减产 业者：记忆体下半年提前复苏

根据模组业者统计，DRAM及NAND Flash去年价格逐季走跌，下半年跌幅明显扩大，其中，主流的16GB DDR4模组合约价由去年初的58美元跌到年底的38美元，跌幅约在35％左右，16GB DDR5模组合约价由去年初的89美元跌到年底的48美元，跌幅已近腰斩。至于512Gb TLC规格NAND晶圆价格，去年底价格已跌至2美元以下，下半年跌幅逾40％。

由于记忆体价格跌幅扩大，今年上半年价格预期还会逐季下跌，业者获利明显缩水，所以国内外记忆体厂都已陆续宣布减产。其中，美光宣布DRAM及NAND Flash减产20％，铠侠宣布NAND Flash减产30％，SK海力士大减今年资本支出逾五成并针对利润较低产品开始减产，业界预期减产幅度介于10～20％之间，至于南亚科及旺宏亦有减产动作。

三星身为全球DRAM及NAND Flash龙头，去年一直未对减产表态，但因为全球总体经济不确定性高，客户上半年会更积极进行库存调整，在预期短期内记忆体需求仍低迷且难以复苏情况下，三星在法人说明会中终于松口表示第一季会主动降低产能利用率以因应当前危机，但没有说明减产幅度。

三星预期半导体市场需求会在上半年维持下行表现，但下半年需求可望复苏，并集中在高效能运算（HPC）及车用电子等领域，因此，三星会调整产品组合因应变化，包括增加LPDDR5x产能，并为伺服器及个人电脑新一代DDR5需求做好增加产出准备，将不利因素降至最低。

根据市调机构集邦科技研究显示，由于消费性电子需求疲弱，为避免记忆体产品价格持续下跌，多家供应商已开始积极减产，预估第一季DRAM价格跌幅可因此收敛至13～18％，但仍不见下行周期的终点，至于第一季NAND Flash价格跌幅将收敛至10～15％，削价竞争在原厂启动减产后已获控制。