《半导体》记忆体市场复苏 力成获美系外资价、评双升

美系外资出具最新报告，看好记忆体市场复苏、重返上升周期，将使记忆体封测厂力成(6239)营收年增率恢复成长，今明两年营收复合成长率（CAGR）达9～10％，除调升今年营收及本业获利预期，并将评等自「中立」调升至「加码」、目标价自100元调升至120元。

受外资升评及调升目标价激励，力成今（18）日股价开高后放量劲扬，一度上涨5.18％至101.5元，创去年12月初以来1个半月高点，截至午盘维持逾4％涨幅，领涨封测族群。三大法人上周亦转站多方、合计买超达5729张。

力成去年12月自结合并营收61.95亿元，月减2.59％、年减6.13％，虽降至近10月低点、仍创同期次高。去年第四季合并营收190.23亿元，季增0.46％、年减1.48％，创同期次高、亦创历史第三高。累计去年全年合并营收761.8亿元，仍年增14.51％、改写新高。

美系外资认为，力成去年第四季营收略低于预期，主因前年下半年强劲成长、比较基期较高，使力成单月营收年增率自去年第二季起持续下滑。由于记忆体供需前景转趋乐观，预期力成今年首季营收可望恢复年成长，且动能将逐季回升。

美系外资指出，力成股价与营收年增率具强力相关性，由于预期营收年增率将持续下滑，因此先前维持中立看待。不过，由于伺服器的库存调整已在去年底完成，预期力成单季营收年增率可能已在上季触底，预期后续营收及股价均可望转强。

美系外资表示，因产能增加有限、新冠肺炎致使需求疲弱、堆叠层数演进时程递延，去年DRAM位元数仅些微成长、NAND Flash位元数年增率创低。预期在新产能增加及周期性需求复苏下，今年DRAM位元数可望年增2成、NAND Flash位元数亦可望显著成长。

美系外资认为，随着超大型数据中心完成库存去化，云端投资加速及英特尔Ice Lake CPU平台启动，对伺服器记忆体带来多种需求催化动能。而5G智慧型手机渗透率提升带动需求、消费性商品需求持续强劲、汽车及工业需求复苏，亦对记忆体供需有利。

美系外资指出，力成股价明显落后同业和记忆体业者。随着今年产业复苏重返上升周期，预期力成今明2年营收年复合成长率（CAGR）可望有9～10％的健康成长，带动毛利率提升、股东权益报酬率（ROE）强劲成长达14～19％，股价可望明显反弹追赶。

美系外资将力成去年及今年营收预期分别调升4％及7％、营业利益分别调升5％及15％，评等自「中立」调升至「加码」，目标价自100元调升至120元，意即股价仍有24％的潜在上涨空间。