明年手机更强了！高通携手三星发表10nm制程S835处理器

记者洪圣壹／台北报导

其实早在公布 QC 4.0 快充技术之前，高通已经悄悄发表新一代旗舰处理器，型号为 Qualcomm Snapdragon 835，采用三星代工的 10nm FinFET 制程，相较 S820 处理器来说，体积小了 30%，效能却又提升 27%，运作时却又可以降低40%的功耗，将让明年的手机平板更薄、效能更强，却又更省电。

在纽约举行的高通Snapdragon技术峰会期间，高通与三星携手发表全新一代旗舰级处理器 Qualcomm Snapdragon 835，采用 10nm FinFET制程，着重在更小、效能更强，这意味着设备制造商有更多的可用空间提供更大的电池，或者是更薄的手机设计。

Qualcomm Snapdragon 835 相较于 Qualcomm Snapdragon 820 来说，体积小了 30%，效能却又提升 27%，运作时却又可以降低40%的功耗。

高通、三星同时宣布，Snapdragon 835 即日起开始出货，预期于 2017 年上半年初，就会有搭载该处理器的产品推出，或许可以期待的是，明年 4 月亮相的三星 Galaxy S8，将可望是首款搭载该处理器的智慧型手机。

＊资料来源：高通、三星