更小、更省电！三星二代10nm级8GB手机记忆体或将用于Note 9
三星电子宣布开始批量生产业界首款10nm级LPDDR4X DRAM，功耗比前代降低10%、体积更小，同时保持4,266Mbps速度，同时预告将为今年晚些或2019年初的智慧型手机所采用。
根据介绍，三星将扩大其基于10nm工艺的 DRAM产品线，这次推出的晶片主要透过四个10nm级16Gb LPDDR4X DRAM晶片组合一个8GB LPDDR4X的四通道行动DRAM封装，可以实现每秒34.1GB的数据速率，其厚度从第一代封装产品减少了20％以上、功耗降低10%。
随着10nm级LPDDR4X的推出，三星已经开始在韩国平泽市打造一条新的DRAM生产线，以确保所有移动DRAM芯片的稳定供应，预计提供4GB、6GB和8GB LPDDR4X封装产品。
三星DRAM销售高级副总裁Sewon Chun在官方资讯当中指出，10nm级DRAM的问世将为下一代旗舰行动设备提供显著增强的解决方案，预计将于今年晚些或2019年上半年首次上市，依照产品发表时间，率先采用该产品的手机，将会是Galaxy Note 9 以及 Galaxy S9系列。
＊资料来源：Samsung