三星电子计划在2026年推出最后一代10nm级工艺1d nm
《科创板日报》6日讯,三星电子DS部门展示了三星未来内存产品路线图。根据DDR内存路线图,三星计划在2024年内推出1c nm制程DDR内存,该节点可提供32Gb颗粒容量产品;在2026年三星将推出其最后一代10nm级工艺1d nm,仍最大提供32Gb容量。 (韩国先驱报)
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