《科技》SK海力士率先推HBM3e 16hi产品 推升位元容量上限

TrendForce表示，HBM供应商以往在各世代皆推出两种不同堆叠层数的产品，如HBM3e世代原先设计8hi及12hi，HBM4世代规画12hi及16hi。

在各业者已预定于2025年下半以后陆续投入HBM4 12hi的情况下，SK hynix选择在HBM3e追加推出16hi产品，TrendForce认为，可归因于以下背景因素，首先TSMC台积电CoWoS-L可提供的封装尺寸将于2026和2027年间扩大，每SiP(系统级封装)可搭载的HBM颗数也增加，但后续升级仍面临技术挑战和不确定性。在生产难度更高的HBM4 16hi量产前，可先提供客户HBM3e 16hi作为大位元容量产品的选择。以每SiP搭载8颗HBM颗数计算，HBM3e 16hi可将位元容量上限推进至384GB，较NVIDIA Rubin的288GB更大。

从HBM3e进展到HBM4世代，IO数翻倍带动运算频宽提高，此升级造成晶粒尺寸放大，但单颗晶粒容量维持在24Gb。在HBM3e 12hi升级至HBM4 12hi的过程中，HBM3e 16hi可作为提供低IO数、小晶粒尺寸和大位元容量的选项。

TrendForce表示，SK hynix的HBM3e 16hi将采用Advanced MR-MUF堆叠制程，和TC-NCF制程相比，使用MR-MUF的产品更容易达到高堆叠层数及高运算频宽。在HBM4及HBM4e世代皆预计设计16hi产品的情况下，SK hynix率先量产HBM3e 16hi，将能及早累积此堆叠层数的量产经验，以加速后续HBM4 16hi的量产时程。SK hynix后续亦不排除再推出hybrid bonding制程版本的16hi产品，以拓展运算频宽更高的应用客群。