三星将推新V-NAND 对战SK海力士

SK海力士及三星分别将于10月26日及10月31日公布最新财报，两家公司营运现况及新产品推出进度，将引起市场瞩目。

根据外电报导，三星总裁暨记忆体事业部负责人Jung-bae Lee在其部落格中写道，第九代V-NAND基于双层结构，层数将达到业界最高水准，将于2024年初量产。

三星正开发超过300层的第九代V-NAND，仍以三星2020年首次采用的双层堆叠技术，显示非挥发性记忆体步入正轨，其层数有望超过竞争对手。

Jung-Bae Lee在其部落格中指出，三星还在研究下一代具价值的技术，包括最大限度提高V-NAND输入／输出（I／O）速度的新结构。

根据外媒报导，三星在即将推出的SSD中，将会使用这种记忆体。

SK海力士8月宣布，新321层堆叠4D NAND Flash快闪记忆体样品，成为业界首间开发完成300层以上堆叠NAND Flash公司。但从三星最新进度可知，三星有望超车SK海力士，并拥有更多记忆体层数。