SK海力士五季來首見轉盈 預告DRAM、NAND Flash價量齊揚

SK海力士上季财报意外转盈，为五季来首见，并预告今年DRAM与储存型快闪记忆体（NAND Flash）市况将价量俱扬，吹响记忆体族群基本面谷底反弹号角。 路透

南韩记忆体晶片大厂SK海力士昨（25）日公布上季财报意外转盈，为五季来首见，主要受惠AI需求爆发，引动高频宽记忆体（HBM）强劲需求，并预告今年DRAM与储存型快闪记忆体（NAND Flash）市况将价量俱扬，吹响记忆体族群基本面谷底反弹号角。

SK海力士唱旺记忆体后市，业界看好，台厂当中，爱普（6531）全力发展异质整合高频宽记忆体（VHM），有望跟着抢搭AI商机，下半年开始展产生显著效益。南亚科、威刚、华邦、群联等记忆体相关族群也沾光。

对于DRAM与储存型快闪记忆体（NAND Flash）市况展望，SK海力士认为，DRAM市场库存状况将领先在上半年回归正常，NAND Flash则接棒在下半年回归常态，两者今年需求都将成长10%至20%，价格也都将改善。

SK海力士去年第4季营业利益为3,460.3亿韩元（2.59亿美元），终结连四季亏损，也优于分析师预估的亏损1,699亿韩元；上季营收成长47%至11.3兆韩元，比分析师预估的最高数字更出色。

SK海力士表示，上季记忆体市况改善，AI伺服器与行动产品晶片需求，以及平均售价（ASP）都增加，旗下第四代高频宽记忆体晶片（HBM）HBM3过去一年销售成长逾五倍，DDR5销售也增加四倍多。

SK海力士财务长金祐贤说，该公司将努力成长为「全面的AI记忆体提供业者」。SK海力士是HBM领导企业，也是提供辉达（Nvidia）HBM3的独家供应商。SK海力士并重申计划建立高阶记忆体产能，并将升级大陆无锡厂以生产高附加价值产品。

业界分析，现阶段AI应用火红，对高频宽记忆体需求大增，台厂虽在高频宽记忆体技术仍不及三星、SK海力士、美光等国际大厂，仍以鸭子划水姿态布局AI领域。

其中，爱普开发的VHM产品线，即锁定抢攻高频宽记忆体商机，产品效能未来有机会与三星、美光及SK海力士等全球一线记忆体大厂比拚，随SK海力士看好高频宽记忆体发展，爱普的VHM产品未来有机会同样炙手可热。

业界认为，半导体制程推进到5奈米以下之后，光罩费用相当昂贵，许多科技大厂开始选择以先进封装将逻辑运算IC结合高频宽记忆体，借此大幅提供运算效能，推升高频宽记忆体市场明显成长。

爱普先前曾说，该公司推出的3D堆叠记忆体VHM技术，适合大型语言模型AI，可以看到包括GPU／CPU／AI／HPC已到了技术发展拐点，特别是AI加速器的公司，有些客户已支付授权费，相对于目前AI应用多选择HBM高频宽记忆体，但HBM有其在频宽跟功耗的瓶颈跟限制，而VHM技术有望是继HBM之后的新主流技术。