SK海力士Q1转盈 NAND Flash事业恢复获利
SK海力士上季营收与去年同期相比增加1倍以上。上季营业获利率23%,较前一季足足增加20个百分点。上季净利1.92兆韩元,与去年同期相比转亏为盈,是2022年第三季以来首度达成净利。
SK海力士表示上季除了应用于AI伺服器的高频宽记忆体(HBM)晶片大卖之外,高获利的企业级固态硬碟(eSSD)销售比重也增加,带动整体NAND Flash晶片事业复苏。
前两年全球不景气打击消费需求,造成记忆体晶片库存堆积、价格暴跌。SK海力士及三星电子等晶片大厂相继减产以对,导致SK海力士连5季亏损。去年AI市场爆炸性成长为HBM为首的高阶DRAM晶片创造庞大需求,让SK海力士DRAM事业在去年恢复获利,NAND Flash事业也在上季恢复获利。
SK海力士25日表示整体记忆体晶片市场已走出低迷,预期未来几个月持续成长,除了HBM晶片需求快速升温之外,传统DRAM晶片需求也可望在下半年复苏。
为了抢攻AI商机,SK海力士表示将尽速提高HBM3E晶片产能,并预计在今年推出32GB DDR5晶片。SK海力士日前已宣布将在韩国清州市投资20兆韩元兴建一座DRAM封装厂,预计明年11月前完工并开始量产。