路透：HBM良率不佳 三星放下尊嚴追隨SK海力士製造技術

三星上个月发表率产业之先的36GB HBM3E 。美联社

路透引述多位消息人士报导，三星电子计划采用由竞争对手SK海力士主导的一项晶片制造技术，力求在生产人工智慧（AI）高阶晶片的竞争中迎头赶上。

随着生成式AI日益普及，对高频宽记忆体（HBM）的需求不断增长。但三星显然没有拿到为AI晶片先驱辉达（Nvidia）供应HBM晶片的生意，竞争不过SK海力士和美光（Micron）。

路透引述分析师与业界观察家指出，三星落后的原因之一是坚持采用非导电胶膜（NCF）的晶片制造技术，导致生产出现问题；海力士则改用批量回流模制底部填充（MR-MUF）的方法来解决NCF的弱点。

不过，路透引述消息人士报导，三星最近已下单采购用于MUF技术的晶片制造设备。

消息人士指出，三星为提高HBM良率，势必要有所应变，「三星采用MUF技术，有点像是放下自尊，因为终究不得不追随SK海力士率先使用的技术」。

多位分析师透露，三星的HBM3生产良率大约为10-20%，而SK海力士HBM3良率则高达60-70%。

HBM3和最新版本HBM3E目前需求正旺，这款记忆晶片和处理器封装在一起，用于处理大量的生成式AI数据。

消息人士也表示，三星正在和日本的长濑在内的材料制造商洽商，以取得MUF材料。不过，由于三星还需要进行更多测试，使用MUF来量产可能要等到明年才会就绪。

消息人士也表示，三星电子打算兼采NCF和MUF技术来开发HBM晶片。

三星表示，他们开发的NCF技术是HBM产品的「最佳解决方案」，并将应用于新款HBM3E晶片。三星发布新闻稿说：「我们正在按计划推进HBM3E产品业务。」

NCF已是晶片制造商普遍采用的技术，在HBM堆叠多层晶片时，使用热压缩薄膜有助缩小堆叠的晶片之间的空间。

不过，随着堆垒晶片增加，黏接材料常常引发制造上的问题。三星表示，最新的HBM3晶片共有12层晶片。晶片制造商一直在寻找解决这些弱点的替代办法。

美光上个月加入HBM3的竞争，宣布最新的HBM3E获辉达采用，用于搭配辉达将于第2季出货的H200 Tensor图形处理器（GPU）。

投资人己注意到三星电子在AI晶片竞争中的挫败，今年股价下跌7％，相比之下，SK海力士和美光的股价分别上涨了17％和14％。