消息称SK海力士5层堆叠3D DRAM制造良率已达56.1%
《科创板日报》24日讯,SK海力士报告称,其5层堆叠的3D DRAM的制造良率已达56.1%。这意味着在单个测试晶圆上制造的约1000个3D DRAM中,约有561个可行器件被生产出来。实验性的3D DRAM显示出与目前使用的2D DRAM相似的特性,这是SK海力士首次披露其3D DRAM开发的具体数字和特性。 (sedaily)
相关资讯
- ▣ SK海力士5层堆叠3D DRAM制造良率据悉已达56.1%
- ▣ 消息称SK海力士将在1c DRAM生产中采用新型Inpria MOR光刻胶
- ▣ 消息称英伟达与SK海力士协调2025年HBM供应
- SK海力士宣布本月底量产12层堆叠HBM3E,定制化将成为HBM发展趋势
- SK海力士DRAM事業轉盈
- ▣ 消息称SK海力士加速NAND研发 400+层闪存明年末量产就绪
- ▣ SK海力士 開發新DRAM晶片
- ▣ 消息称三星、SK 海力士已启动芯片浸没式液冷兼容测试
- ▣ 消息称SK海力士考虑引进ASML High NA EUV设备
- ▣ 消息称SK海力士预计10月完成HBM4设计定案
- ▣ TrendForce:美光、三星、SK海力士、模组厂已停止DRAM报价
- ▣ SK海力士拚Q4量产第六代DRAM
- ▣ 急改DRAM产线 SK海力士转生产HBM3E
- ▣ SK海力士据悉考虑新建一家DRAM工厂
- ▣ SK海力士首发第六代10纳米DRAM芯片
- 路透:HBM良率不佳 三星放下尊嚴追隨SK海力士製造技術
- ▣ 报道称特斯拉已向SK海力士和三星表达采购HBM4意向
- ▣ SK海力士开发出第六代10纳米级DDR5 DRAM
- ▣ SK 海力士、三星电子:整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存
- ▣ 消息称HBM4标准放宽 三星、SK海力士推迟引入混合键合技术
- ▣ SK海力士第六代DRAM 提前今年第4季量产
- ▣ 通用DRAM需求尚未恢复 三星和SK海力士相关工厂开工率80%-90%
- DRAM市況好轉 SK海力士Q1考慮縮小減產幅度
- ▣ SK海力士:今年HBM芯片占公司DRAM芯片销售比重预计达两位数
- ▣ 力积电:多层晶圆堆叠技术获AMD采用 开发3D AI芯片
- ▣ DRAM二哥SK海力士喊漲價 南亞科股價領軍上漲
- ▣ 技术突破!SK海力士首发第六代10纳米DRAM芯片
- ▣ SK海力士开发出全球首款第六代10纳米级DRAM
- SK海力士开发首款第六代DRAM晶片 速度提升11%