SK海力士开发首款第六代DRAM晶片 速度提升11％

SK海力士宣布开发出第六代DRAM。（示意图/达志影像/shutterstock）

全球第二大记忆体晶片制造商SK海力士（SK Hynix）29日宣布，开发出业界首款第六代10奈米DRAM晶片，运行速度比前一代提升11％，功耗也减少9％。

不过辉达的业绩展望不够亮眼，拖累亚洲半导体类股走跌，身为辉达供应商的SK海力士，29日股价挫跌多达6.8％。

SK海力士声明指出，这款名为16Gb 1c DDR5的晶片，可望获高效能数据中心采用，运行速度较前一代提高11％，来到8Gbps（每秒8 千兆位元）。

此外1c DDR5的能源效率也比前一代改善了9％ 以上，值此AI当道耗电量激增之际，这个新一代晶片可助数据中心降低多达30％的电力成本。

SK海力士表示，今年为1c DDR5量产做准备，明年开始出货。