不够卖！ 海力士HBM新晶片将提前量产

SK海力士HBM技术团队负责人与研究员Kwi Wook Kim于13日在首尔举行的研讨会表示，随着技术不断进展，新一代高频宽记忆体（HBM）的更新周期由2年缩短到1年，第七代HBM投入量产时间由2027年提前到2026年。

HBM4E将是SK海力士以10奈米级第六代（1c）DRAM打造的首款晶片。

另据CNBC报导引述记忆体晶片大厂SK海力士与美光（Micron）说法，两业者2024年生产高频宽记忆体（HBM）晶片已经售罄，就连2025年的HBM产量几乎被预订一空。

晨星（Morningstar）股票研究部门主管Kazunori Ito日前发布报告指出，「我们预期整个2024年记忆体供应仍将维持紧俏。」

SK海力士已供应辉达（NVIDIA）HBM晶片，传另一家韩国晶片巨擘三星电子（Samsung Electronics）也列为考虑中的潜在供应商。

Nasdaq IR Intelligence主管贝利（William Bailey）表示，这些HBM的晶片制造更加复杂，提高产量也相当困难，这可能使HBM晶片到年底前、以及2025年大部份时间都会出现短缺。

《韩国经济日报》报导，全球两大记忆体晶片厂三星与SK海力士皆认为，AI技术热潮推升今年DRAM和HBM价格维持坚挺，两公司已将逾2成的DRAM产线转为生产HBM晶片，以因应HBM旺盛需求。