SK海力士砸10億美元發展先進封裝 鞏固HBM晶片領導地位

SK海力士正大举支出投入先进晶片封装，要巩固在HBM晶片领导地位。图为南韩产业部长Ahn Duk-geun访视SK海力士工厂产线。欧新社

南韩记忆体大厂SK海力士正大举支出投入先进晶片封装，希望能抓住市场对高频宽记忆体（HBM）这种发展AI重要零组件兴旺的更多需求。

彭博资讯报导，目前带领SK海力士封装研发的李康旭（ Lee Kang-Wook，音译）表示，公司正在南韩投资逾10亿美元，扩展并改善其晶片制造的最后步骤。这一部分的创新是HBM优势的核心，封装升级将是有助降低功耗、提升性能和维持SK海力士在HBM市场领导地位的关键。HBM是当前最受欢迎的AI记忆体。

虽然SK海力士没有揭露今年的资本支出预算，但分析师平均预估该数字为14兆韩元（105亿美元），这代表投入先进封装的研发可能占了其中的10%，是一大优先项目。

李康旭在接受彭博资讯专访时表示：「半导体产业的头50年一直聚焦前端、或是设计与晶片制造本身，但下个50年，将聚焦后端，或是封装。」

55岁的李康旭协助为第三代HBM技术HBM2E创建创新的封装方式，另外两大记忆体厂也正迅速追赶。此一创新是帮助SK海力士在2019年底赢得辉达成为客户的核心关键。