大摩：DRAM迎「超級周期」 南亞科、威剛等營運吞補丸

DRAM示意图。 美联社

AI应用百花齐放，带动记忆体需求大增，惟过去两年记忆体厂资本支出不足，加上国际大厂大力投入高频宽记忆体（HBM）消耗庞大产能，导致标准型DRAM供应锐减，外资摩根士丹利高喊，DRAM正迎来前所未有的供需失衡「超级周期」，标准型DRAM供应缺口更甚于HBM、高达23%，价格将一路上涨。

大摩预期，本季DRAM价格涨幅将比预期高至少六成，为这波DRAM「超级周期」暖身。业界看好，随着DRAM迎来「超级周期」，价格涨势比预期更强，南亚科（2408）、威刚（3260）、十铨（4967）等台厂营运吞大补丸。

DRAM迎来超级周期

瑞银证券最新报告也认同国际DRAM大厂抢攻HBM，造成标准型DRAM产能排挤效应，将推升产业迈向上升周期，给予南亚科买进评等，目标价85元。

大摩、瑞银均强调三星、SK海力士、美光等三大DRAM厂全力进击HBM带来的产能消耗与排挤标准型DRAM产出的效应，透露「HBM挤压标准型DRAM产能，导致标准型DRAM市况一路向上」已成为外资圈共识。

大摩分析，每单位HBM位元产出所需的晶圆容量，是标准型DRAM的两倍，加上现阶段HBM良率远低于标准型DRAM，将消耗更多的现有产能，而前两年DRAM厂资本支出普遍偏低，新增产能有限，在HBM大举消耗DRAM厂现有产能下，预计明年标准型DRAM缺口高达23%，为近年罕见，也使得DRAM价格将一路上涨。

大摩认为，随着过去两年记忆体厂严格控管资本支出，导致当下没有新的晶圆厂或大规模晶圆可用，加上HBM产能排挤效应，为DRAM市场2025年迎来前所未有的供需失衡「超级周期」提供强大动力。

大摩分析，即便HBM供应也缺，但明年缺口仅约11%，远低于标准型DRAM供应缺口高达23%。

大摩并调升今年第3季DRAM和NAND晶片价格涨幅预估，由原预期8%和10%，上调至13%和20%，调升幅度高达六成以上，显示DRAM和NAND的供需紧张态势。

南亚科、威刚等台湾DRAM相关业者也按赞后市。南亚科认为，随着国际DRAM大厂产能大量往HBM与DDR5挪移，DDR4等标准型记忆体市场将逐季好转，价格也会逐季改善。

南亚科分析，HBM现阶段占整体DRAM位元比重约低于5%，但消耗的产能大于5%，产能排挤效应显现，即便南亚科并未投入HBM制造，也会受惠标准型产品价格上涨，为业绩增添柴火。

威刚也看好今、明年DRAM市况，董座陈立白认为，除了DDR5价格续涨外，DDR4待库存去化告段落，价格也将从8月开始进入第二波涨势，涨幅至少30%以上。

十铨则说，下半年DDR5涨幅有机会达双位数，DDR4与同业看法一致，涨幅上看三成。

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