DRAM、NAND 明年迎春燕

国际记忆体大厂包括三星、SK海力士、美光等持续减产，TrendForce预估，2024年各厂减产策略仍将持续；惟随着消费性电子产品需求回升，2024年DRAM、NAND Flash需求位元将年增13％及16％。

台系记忆体厂如南亚科、旺宏、华邦电、群联、威刚、宜鼎等，有望同步受惠。

记忆体族群30日涨势转强，旺宏、威刚领涨同族群，涨幅逾7％，群联、点序、宜鼎及十铨涨幅亦在5％～6％。

业界人士指出，记忆体第三季合约谈判已完成，DDR4合约价季减低个位数，DDR5合约价季增低个位数，而龙头厂之间无显著价差。

主要是龙头厂的1Ynm以上制程持续处现金流出下，各大厂减产幅度扩大，力守报价，以期营运止血，且积极去化库存下，库存水位自6月底的12～14周，进一步去化至9月底的10～12周。

展望第四季报价，业界人士预估，DRAM合约价将上涨5％，带动现货价上涨，且涨势将延续至2024年。

NAND部分，因三星先前下令暂停低价报价，中系模组厂也配合三星调涨报价，主流产品512Gb现货价在8月下旬，已从1.48美元，调升至1.62美元～1.65美元，涨幅约10％，其他大厂纷纷跟进，NAND现货价格也见到止跌。

业界人士预期，记忆体厂库存在2024年第一季，将降至8周以下水准，大厂涨价态度于2023年下半年逐步转趋明确，预估DRAM及NAND合约价于2024年上半年，全面进入上升周期。

惟TrendForce预估，2024上半年消费性电子市场需求能见度仍不明朗，加上通用型伺服器的资本支出，仍受到AI伺服器排挤，而显得相对需求疲弱。

但有鉴于2023年基期已低，加上部分记忆体产品价格已来到相对低点，预估DRAM及NAND Flash需求位元年成长率分别有13％及16％。

尽管需求位元有回升，2024年若要有效去化库存，并回到供需平衡状态，重点还是仰赖供应商对于产能有所节制，若供应商产能控制得宜，记忆体均价将有机会反弹。